根据韩联社的报导，南韩记忆体大厂SK 海力士（SK Hynix）于10 日宣布，研发出全球首款，容量256Gb 的第4 代72 层堆叠3D NAND Flash，预计2017 年下半年量产。而该产品量产后，将超越日前由日本半导体大厂东芝（Toshiba）所推出的容量256Gb 的64 层3D NAND Flash 的储存密度。
报导指出，NAND Flash 记忆体供应商为满足客户不断增加的储存空间需求，正不断强化3D 堆叠设计，提升NAND Flash 的储存密度。其中，虽然南韩记忆体大厂三星电子和东芝都已经研发出3D NAND Flash，但仅堆叠到64 层。而本次，SK 海力士研发出的3D NAND Flash 达到72 层架构，与其他两家公司的产品相同，SK 海力士的72 层架构3D NAND Flash 也提供256Gb 的储存容量。
报导中进一步强调，SK 海力士自从2016 年第2 季开始量产36 层堆叠架构的3D NAND Flash（128Gb），同年11 月，开始量产48 层堆叠架构的3D NAND Flash（256Gb）。根据SK 海力士内部一位负责人表示，成功研发出72 层堆叠架构的3D NAND Flash，意味着公司已掌握产业中最顶尖的技术。
当前，由人工智慧（AI）、大数据等资讯科学领导的第4 次工业革命方兴未艾，使3D NAND Flash 的需求达到爆发式成长。根据市场调查机构Gartner 公布的资料显示，2017 年全球NAND Flash 市场规模达465 亿美元。而到2021 年，市场规模可望达到565 亿美元，这使各家大厂纷纷加入，抢食大饼。
