手机晶片大厂高通（Qualcomm）的Quick Charge 4.0 快充技术，早在2016 年就公布。不过，在2017 年前后推出的SONY 旗舰机XZ Premium、三星的S8，以及小米6 等首批高通骁龙835 晶片的手机中，却都没有搭载这个最新版的快充技术。如今，高通则选择公布了新Quick 双路充电分流了充电电流，使得Quick Charge 4.0+ 快充技术，相比QC 4.0 有更快充电速度，而且还强化了其安全性。
高通表示，新型的QC 4.0+ 快充技术包含了所有QC 4.0 特性，另外还增进了3 项特点。首先就是配备双路充电，这在之前版本中是设计为可选则选项。这次列入准选项，是因为支援QC 4.0+ 的设备必须有双电源管理IC，用以降低充电时的发热状况，另外还提高充电速度。
第二项增进的特点是为了智能热平衡所进行的设计。这样特点用于在双路充电中，可以自动把电流调节到冷的一方上，避免充电过程中产生热点。最后一个增进的项目则是为强化了充电时的安全性。这其中包含了更严格的安全协议，还会同时监测设备外壳和介面的温度，防止发生充电过热的情况发生。在这些改进下，以2,750mAh 的电池进行测试，QC 4.0+ 相比前一代的QC 4.0 加快了15% 的充电速度，还提高了30% 的充电效率，另外还降低了3°C 发热温度。
目前首款搭载高通QC 4.0+ 快充的手机为1 日晚间所发表的努比亚（Nubia）旗舰级新机Z17，而且高通预计，2017 年接下来的新款手机都可能都会跳过QC 4.0，直接搭载QC 4.0+ 快充技术，届时消费者就可以拭目以待。
