根据国外科技网站digitaltrends 的报导，显示晶片大厂辉达（NVIDIA）针对赢咖4注册及AI 运算市场所推出的Xavier SoC 处理器，其当中的新一代Volta GPU，将是第一个采用台积电的12纳米先进制程的产品，并且预计最快将在2017 年下半年开始量产。
报导指出，虽然晶圆但工龙头台积电很早就将10 纳米先进制程进入量产。不过，现下还没有一款基于台积电10 纳米制程所生产的晶片，所搭备的终端产品正式发表。有消息表示，之前台积电在10 纳米制程良率上遇到了一些问题。所以，很可能搭配的终端产品的问世还需要一段时间。因此，目前16 纳米制程仍然是台积电的先进制程主力。但是，很快传闻中的台积电12 纳米制程，将会搭配辉达的产品在2017年问世。
辉达（NVIDIA）为了赢咖4注册及AI 运算市场所开发的Xavier SoC 处理器，当中的新一代Volta GPU，将会是首先采用台积电的12 纳米先进制程的产品。不过需要注意的是，台积电的12 纳米制程跟格罗方德（GlobalFoundries）的12 纳米FD-SOI 制程不同，实际上应归类为现有16 纳米制程的进化版。
据了解，台积电即将推出的12 纳米先进制程，其实是现有16 纳米先进制程的第四代缩微改良版本。具有更低的漏电性能及成本，并且线宽微缩能力已领先南韩三星的14 纳米制程。而称为12 纳米制程，不是改良16 纳米制程的目的，应该是要反击三星、格罗方德等对手的14 与12 纳米制程，牢牢控制10 到28 纳米制程之间的代工市场。
过去，在半导体产业当中一直有传闻指出，三星与台积电的14 与16 纳米制程，其实与半导体龙头英特尔的20 纳米制程相当，只是为了区分各自的制程技术，所以各家晶圆代工厂开始出现这样的数字游戏。不过，这样一来格罗方德在2016年所推出的12 纳米FD-SOI 制程在市场上就显得有些尴尬。
根据资料显示，格罗方德的12 纳米FD-SOI 制程能够以低于16 纳米FinFET 制程的功耗和成本，提供等同于10 纳米FinFET 的性能，并且支援全节点缩放，使得性能比现有FinFET 制程提升了15%，功耗却降低了50%。而光罩的成本也比10 纳米FinFET 制程减少40%。
换句话说，格罗方德的12 纳米FD-SOI 制程在号称成本、功耗等方面都要优于台积电主力的16 纳米制程的情况下。但是现在，台积电的第四代16 纳米制程改名为12 纳米制程后，或许在宣传和行销上会给人的感觉是二者在制程水准上没有什么特别的差异。而且。台积电的名声比格罗方德也要更响亮一些。再加上，格罗方德的12 纳米FD-SOI 制程的量产时间可能要比台积电的12 纳米制程更晚，这些都将使格罗方德的12 纳米FD-SOI 制程在后续的市场竞争中，将处于劣势的局面。
